氮化铝陶瓷 AlN

氮化铝陶瓷基片具有热导率高,膨胀系数低,  强度高, 耐高温, 耐化学腐蚀, 电阻率高,介电损耗小等特点;轻量化和超光滑表面能够减小体积,能降低内阻,有利于芯片的散热,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料, 在电子工业中的应用潜力非常巨大。

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二面体科技提供多种规格订制的高质量AlN(陶瓷)材料

应用

氮化铝广泛应用于高频电子器件、功率电子、光电子和微电子等领域。如高频射频(RF)和微波器件、功率放大器、LED和激光二极管等。由于其优秀的热导性,氮化铝也常常被用作电子设备的散热器。

特点

• 高热导率:氮化铝的热导率优于大多数材料,这使得其在散热应用中表现卓越。
• 低热膨胀系数:氮化铝的热膨胀系数与硅、镓砷等材料相近,有利于材料的匹配和封装。
• 高强度和硬度:氮化铝的机械强度和硬度均高于许多其他陶瓷材料。
• 电性能优良:氮化铝具有良好的绝缘性和介电性质,这对于电子器件的应用十分重要。
• 耐腐蚀和稳定性:氮化铝具有优秀的化学稳定性和耐腐蚀性,使其能够在严酷的环境中维持其性能。
• 良好的光学透明性:氮化铝在紫外到可见光的区域具有较高的透明性,这使得它在光电子设备中有重要应用。

  • 项目

    单位

    指标

    体积密度

    ——

    g/cm3

    3.335

    抗弯强度

    25℃

    MPa

    330

    翘曲度

    25℃

    mm/25.4mm

    0.02~0.05

    热导率

    25℃

    W/m·K

    ≥170

    线膨胀系数

    20~300℃

    1 × 10e-6/℃

    2.805

    介电常数

    25℃, 1MHz

    ——

    8.6

    介质损耗

    25℃, 1MHz

    ——

    0.0004

    体电阻率

    25℃

    Ω·cm

    1.4 × 10e14