InGaAs等化合物外延片

基于砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和锑化铟（GaSb）为衬底的高性能高质量化合物半导体材料，可覆盖近红外到长波红外光谱，成为光电领域的“黄金波段”解决方案。未来随着超晶格能带工程和异质集成技术突破，其应用将向量子传感、神经形态计算等前沿领域延伸。

应用

应用于光电探测器、雪崩二极管、异质结双极晶体管、量子级联激光器、高电子迁移率晶体管等。

特点

InGaAs（Indium Gallium Arsenide）是一种III-V族化合物半导体材料，具有许多优越的特性，使其在光电子学和半导体领域得到广泛应用。以下是InGaAs材料的一些主要优势：

宽带隙调节范围： InGaAs可以通过调整Indium（铟）和Gallium（镓）的组分来实现宽带隙的调节。这使得InGaAs能够覆盖红外光谱范围，包括近红外和短波红外，这对于许多光电子器件和通信应用非常重要。

高电子迁移率： InGaAs具有较高的电子迁移率，使其成为高速电子器件的理想选择。这对于高频率、高速度的应用，如高速场效应晶体管（FET）和高频光电探测器非常重要。

光电探测器的灵敏度： InGaAs在近红外和短波红外范围内具有很高的光电探测灵敏度。这使得InGaAs光电探测器在夜视、通信、医疗成像等领域得到广泛应用。

高饱和漂移速度：由于其高电子迁移率，InGaAs在高电场下具有高饱和漂移速度。这对于高频应用和高速电子设备非常有利。

低噪声性能： InGaAs光电探测器通常表现出较低的噪声水平，这对于一些对探测器灵敏度和精度要求较高的应用非常重要，如光通信和科学仪器。

InGaAs PIN 光电探测器外延材料

产品规格	尺寸	2"、3"、4"
	外延化合物	InP、InAlAs、InGaAs
	掺杂	S i ( N 型 ) B e ( P 型 )
	波段	常规波长0.9～1.7		延伸波长1.0~2.5
产品结构	平面型	材料	掺杂浓度(/cm³)		厚度 ( n m )
		InP	Substrate
		InP Buffer	1-5×10¹8		200-1000
		n+-In,Al1As Buffer	1-5×10¹		1000-2000
		i-InGaAs Absorber	uid		1500-3000
		n-In,Al₁As Cap	1-5×10¹6		500-1000
	台面型	InP	Substrate
		InP Buffer	1-5×10¹8		200-1000
		n+-In Al₁As Buffer	1-5×10¹8		1000-2000
		i-InGaAs Absorber	uid		1500-3000
		p-In,Al₁₋As Cap	1-5×10¹		500-1000

InP基雪崩二极管 (APD) 外延材料

产品规格	尺寸	2"、3"、4"
	外延化合物	InP、InGaAs、InGaAsP、InAlAs
	掺杂	S i ( N 型 )
产品结构1	材料	掺杂浓度(/cm³)	厚度(nm)
	InP	N-substrate
	InP Buffer	1-5×10¹8	200-1000
	InGaAs Absorber	uid	1500-3000
	InGaAsP	uid	10-500
	InP	1-5×10¹7	200-1000
	InP	uid	2500-4000
产品结构2	材料	掺杂浓度(/cm³)	厚度(nm)
	InP	N-substrate
	InP Buffer	1-5×1018	200-1000
	InAlAs	1-5×10¹8	200-1000
	InGaAs Absorber	uid	1500-3000
	InA1As	uid	10-500
	InAlAs	1-5×10¹7	200-1000
	InP	uid	500-4000

异质结双极晶体管 (HBT) 外延材料

产品规格	尺寸	2"、3"、4"、6"
	外延化合物	GaAs、AlGaAs、InGaAs、InP
	掺杂	S i ( N 型 ) B e ( P 型 )
产品结构1	材料	掺杂浓度(/cm³)	厚度(nm)
	InP	N-substrate
	n+InGaAs	1-5×10¹8	200-1000
	p+InGaAs	10¹⁸-10¹⁹	50-150
	N InP	1-5×10¹7	100-1000
	n+InGaAs	1-5×10¹⁹	10-100
产品结构2	材料	掺杂浓度 ( / c m ³ )	厚度(nm)
	GaAs	N-substrate
	n+GaAs	1-5×10¹8	200-1000
	p+GaAs	10¹⁸-10¹⁹	50-150
	N AlGaAs	1-5×10¹7	100-1000
	n+GaAs	1-5×10¹⁹	10-100

量子级联激光器 (QCL) 外延材料

产品规格	尺寸	2"、3"、4"、6"
	外延化合物	GaAs、AlGaAs、InP、InGaAs、InAlAs
	掺杂	S i ( N 型 )
产品结构 1	材料	掺杂浓度(/cm³)	厚度 ( n m )
	GaAs	Substrate
	GaAs	1-8×10¹8	200-1000
	AlGaAs	uid	5-50
	数字递变层	uid	100-1000
	有源区(×100 - ×200)	uid	2000-8000
	数字递变层	uid	100-1000
	AlGaAs	uid	5-50
	GaAs	1-8×10¹8	50-150
产品结构 2	材料	掺杂浓度(/cm³)	厚度 ( n m )
	InP	Substrate
	InP	1-5×10¹7	200-1000
	InGaAs	uid	5-50
	数字递变层	1-5×10¹7	20-100
	有源区(×20-×50)	uid	500-2000
	数字递变层	1-5×10¹7	20-100
	InP	0.1-8×10¹8	500-2000
	InGaAs	1-2×10¹9	10-100

GaAs 基赝配高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 外延材料

产品规格	尺寸	2"、3"、4"、6"
	外延化合物	GaAs、AlGaAs、InGaAs
	掺杂	S i ( N 型 )
产品结构	材料	掺杂浓度(/cm³)	厚度(nm)
	GaAs	Substrate
	GaAs Buffer	uid	50~1000
	i-InGaAs	uid	10-50
	i-AlGaAs	uid	1-50
	δ-Si	4-5×10¹²cm-²
	i-AlGaAs	uid	1-50
	n-GaAs	1-8×10¹8cm³	10-200

InAs/GaSb 探测器外延材料

产品规格	尺寸	2"、3"
	外延化合物	InAs、GaSb
	掺杂	Si(N型)、Be(P型)、Te(N型)
产品结构1	材料	掺杂浓度(/cm³)	厚度(nm)
	GaSb	Substrate
	p-GaSb buffer	1-5×1018	200-1000
	p-InAs/GaSb	1-5×10¹8	200-800
	i-InAs/GaSb Absorber	uid	1500-4000
	n-InAs/GaSb	1-5×10¹8	200-800
	n-InAs	1-5×1018	10-100
产品结构2	材料	掺杂浓度(/cm³)	厚度(nm)
	GaSb	Substrate
	p-GaSb buffer	1-5×10¹8	200-1000
	p-InAs/GaSb MW	1-5×10¹8	200-800
	i-InAs/GaSb MW Absorber	uid	1500-4000
	n-GaSb	1-5×1018	200-800
	i-InAs/GaSb LW Absorber	uid	1500-4000
	p-InAs/GaSb LW	1-5×1018	200-800
	p-GaSb	1-5×10¹8	500-1000

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