砷化铟InAs外延片

InAs/GaAs 外延片是指在砷化镓（GaAs）单晶衬底上，通过分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长砷化铟（InAs）量子点、量子阱或薄膜的异质结构材料系统。

这类结构通常具有应变调控和带隙工程特性，广泛应用于红外探测器、高速电子器件和光通信领域。

性能指标	特点说明
带隙结构	InAs带隙窄（~0.36 eV），GaAs较宽（~1.42 eV），形成带阶异质结
电子迁移率高	InAs电子迁移率高达~30,000 cm²/V·s，适合高速器件
应变调控结构	InAs在GaAs上生长存在晶格失配（约7%），可形成自组装量子点（QDs）
发光波长可调	通过调控InAs厚度、应变和间隔层，可控制发光波长至1.0–1.6 μm（通信波段）
热稳定性良好	GaAs衬底提供良好热稳定性，适合多层结构器件构建

这类结构通常具有应变调控和带隙工程特性，广泛应用于红外探测器、高速电子器件和光通信领域。

异质集成兼容性强：可与GaAs、InP、AlGaAs等多种III-V材料组合形成复合结构
量子尺寸效应显著：适合量子点器件、精密激光器应用
高效率、低阈值激光发射：InAs QD 激光器比传统InGaAs QW器件更具能量效率
适配MOCVD/MBE成熟工艺：工艺稳定、重复性高，可大规模外延制备