氮化铝AlN外延片

--深紫外发光器件（DUV-LED）

工作波长200–280 nm，用于杀菌消毒、光刻、空气净化

--高频高功率电子器件

用作 AlGaN HEMT 通道或缓冲层，提升器件击穿电压

--声学与压电器件

SAW、BAW 滤波器基底材料，应用于5G通信

--光电传感器

适用于紫外探测器、高温电路和高速开关器件

1. 超宽禁带特性 氮化铝的禁带宽度达 6.0 eV，是目前主流半导体中最宽之一。可承受极高电压，适合高功率器件和深紫外光电子器件（DUV）。
2. 极高击穿电场 临界击穿电场高达 12–15 MV/cm，远高于GaN和SiC，有助于构建高击穿、高效率的功率电子器件。
3. 优异热导率 热导率可达 285–321 W/m·K，优于GaN，有助于热管理与高温应用，适合高密度器件封装。
4. 紫外透明性 对200–300 nm深紫外区域几乎全透明，是DUV-LED、紫外探测器等器件的理想材料。
5. 优良压电性能 具有高压电常数，适用于表面声波（SAW）与体声波（BAW）滤波器，广泛用于5G通信。
6. 极高声速 声速高达 11,000 m/s，使其成为高频声学器件的优质平台。
7. 电绝缘性强 漏电流极低，适合作为绝缘层或缓冲层，提升整体器件可靠性。
8. 工艺兼容性好 适配多种衬底（蓝宝石、SiC、金刚石、Si），并兼容 MOCVD、MBE 等成熟外延工艺。