二面体(上海)科技有限公司
- 首页
-
产品
-
- 高纯元素
-
化合物原料
- 氧化物
- 硫化物
- 氟化物
- 氮化物
- 碳化物
-
卤化物
- 氯化镓 GaCl3
- 氯化铟 InCl3
- 氯化铝 AlCl3
- 氯化铋 BiCl3
- 氯化镉 CdCl2
- 氯化铬 CrCl2
- 氯化铬水合物 CrCl2(H2O)n
- 氯化铜(I) CuCl
- 氯化铜(II) CuCl2
- 氯化铯 CsCl
- 氯化铕 EuCl3
- 氯化铕水合物 EuCl3.xH2O
- 氯化镁 MgCl2
- 氯化钠 NaCl
- 氯化镍 NiCl2
- 氯化铟 InCl3
- 硝酸铟水合物 In(NO3).xH2O
- 氯化铷 RbCl3
- 氯化锑 SbCl3
- 氯化钐 SmCl3
- 氯化钐水合物 SmCl3.xH2O
- 氯化钪 ScCl3
- 氯化碲 TeCl3
- 氯化钽 TaCl5
- 氯化钨 WCl6
- 溴化铝 AlBr3
- 溴化钡 BaBr2
- 溴化钴 CoBr2
- 溴化镉 CdBr2
- 溴化镓 GaBr3
- 溴化镓水合物 GaBr3.xH2O
- 溴化镍 NiBr2
- 溴化钾 KBr
- 溴化铅 PbBr2
- 溴化锆 ZrBr2
- 四溴化铋 BiBr4
- 三碘化铋 BiI3
- 碘化钙 CaI2
- 碘化钆 GdI2
- 碘化钴 CoI2
- 碘化铯 CsI
- 碘化铕 EuI2
- 碘化锂 LiI
- 碘化锂水合物 LiI.xH2O
- 三碘化镓 GaI3
- 三碘化钆 GdI3
- 三碘化铟 InI3
- 碘化钾 KI
- 三碘化镧 LaI3
- 三碘化镥 LuI3
- 碘化镁 MgI2
- 碘化钠 NaI
- 粒子猫科研
- 科技观察
- 合作伙伴
- 联系
- 关于
碲化锌ZnTe
碲化锌(ZnTe)晶体是一种由II-VI族元素构成的化合物半导体材料,凭借其独特的物理性质,在红外光学、太赫兹技术及新能源等前沿领域扮演着重要角色。
碲化锌晶体在室温下通常呈现为红色立方晶体或棕红色粉末 。
ZnTe之所以能在众多材料中脱颖而出,主要归功于以下几点:
优良的太赫兹(THz)产生与探测性能:这是ZnTe最受瞩目的优势。它具有较高的非线性光学系数和电光系数,能与商用化的800nm附近飞秒激光产生良好的相位匹配,从而高效地产生和探测太赫兹脉冲 。相较于其他材料,其辐射和探测效率更高 。
理想的宽禁带半导体特性:作为直接带隙半导体,室温下约2.26eV的禁带宽度使其在绿光波段的光电器件应用中具有天然优势 。
材料可定制性强:目前成熟的晶体生长技术(如布里奇曼法)可以生长出大尺寸、高纯度的单晶 。同时,可以根据需求定制晶体尺寸、晶向(如常用的<110>方向)和厚度(可薄至50µm) 。
电光响应速度快:基于其电光效应,ZnTe能够对超短太赫兹脉冲进行有效采样和探测,时间分辨率高,是太赫兹时域光谱系统中的核心元件 。
主要应用领域
太赫兹科学与技术:这是ZnTe当前最重要的应用领域之一。它被广泛用作太赫兹辐射源和探测器的核心材料,尤其在太赫兹时域光谱系统中。该系统可应用于皮肤癌早期诊断 、气体探测、薄膜测量以及材料无损检测等科研和工业领域 。
红外光学器件:利用其在红外波段(特别是3-14μm)的高透过率和稳定性,ZnTe被制成红外增透膜、分光膜和保护膜,应用于红外光谱仪、热成像仪、夜视仪等设备 。
光电子与半导体器件:
绿光发光器件:作为直接带隙材料,可用于制造**纯绿色发光二极管(LED)**和激光二极管 。
太阳能电池:在CdTe薄膜太阳能电池中,作为高效的背接触层,能优化界面性能,提升电池的稳定性和转换效率 。
前沿科学研究:在量子点显示与标记、**高密度非易失性存储器(RRAM)**等前沿材料科学领域,ZnTe也作为关键材料被广泛研究 。
总的来说,碲化锌(ZnTe)晶体是一种性能独特的化合物半导体。它以立方闪锌矿结构为基础,凭借其在太赫兹波段的高效响应、良好的电光效应和直接带隙等核心性能,在红外-太赫兹以及绿光-新能源两大光电技术方向上构筑了显著优势,是连接基础研究与前沿应用的关键功能材料。
二面体科技提供多种规格订制的高质量碲化锌ZnTe晶体材料。
应用
太赫兹技术:最主流的太赫兹波辐射源与探测器材料,广泛用于安检、无损检测、科研实验等;
红外光学:制备红外增透膜、保护模、分光膜,适配 8~14μm 大气红外窗口,用于热成像仪、红外光谱仪、军事光学系统;
光电子器件:制作绿光发光二极管、电光探测器、高速激光二极管,响应波长 1.5~3.5μm,适用于光纤通信、医疗成像;
新能源与合金材料:多晶薄膜用于太阳能电池提升光电转换效率;与碲化汞、碲化镉复合生成碲汞锌(ZnₓHg₁₋ₓTe)、碲锌镉(CdZnTe),是红外焦平面阵列、辐射探测的核心材料;
热电材料:四方相 ZnTe 的热电优值(ZT)可达 0.387,是中高温热电转换的潜在候选材料。
特点
优良的太赫兹(THz)产生与探测性能:;
理想的宽禁带半导体特性;
材料可定制性强;
电光响应速度快。
-
晶体结构:主要稳定为立方闪锌矿结构 ,这是一种由锌和碲原子交替排列组成的晶格。在特定条件下,它也可以形成六方晶型 。
化学式:ZnTe
分子量:约 192.97
熔点:约 1238.5 ℃
密度:约 6.34 g/mL (25℃) ,亦有数据为 5.633 g/cm³
核心性能参数
ZnTe晶体的价值源于其一系列优异且独特的光电性能,关键参数如下:
性能类别
具体参数
典型值/描述
光学性能
禁带宽度 (室温)
约 2.26 - 2.3 eV
(直接带隙)
禁带宽度 (77K)
约 2.38 eV
折射率
可见光波段
3.56
;红外 (10.6μm) 波段
2.7
透过率
在7-12μm红外波段可达
60%
电光性能
电光系数 (r₄₁)
4.0×10⁻¹² m/V
(在10.6μm处)
非线性光学系数
较高,使其具备优良的非线性效应
导电类型
通常显示为本征
P型
电导
电子迁移率
约 350 cm²/(V·s) (室温)
太赫兹性能
太赫兹响应波段
可覆盖
0.1 - 10 THz
的宽频范围
化学稳定性
稳定性
在干燥空气中稳定,但
遇水或稀酸分解
,放出剧毒的碲化氢(H₂Te)气体