石墨烯外延薄膜/缓冲层

• LED及光电器件：作为蓝宝石衬底上的外延缓冲层，用于高质量氮化物（GaN等）生长，提升发光效率与寿命。
• 高频/功率电子器件：在Si/SiO₂衬底上直接制备石墨烯，用于高性能晶体管、传感器等，尤其适合需要高迁移率与低噪声的射频器件。
• 智能传感器：基于无转移石墨烯的电解液栅控传感器，可实现稳定、可重复的pH及生物分子动态检测，适合医疗、环境监测。
• 可剥离外延薄膜：用于需要将外延层转移至其他异质衬底的场景（如柔性基板），实现晶圆级无损转移，拓宽器件设计自由度。
• 散热与热管理涂层：作为导热界面层，辅助功率器件散热。

• 无转移残留：彻底杜绝传统转移引入的金属离子、高分子杂质，保证材料本征性能。
• 界面结合力强：石墨烯与衬底直接生长，附着力远优于转移薄膜，提升器件稳定性与耐用性。
• 应力与位错调控：作为外延缓冲层，可显著缓解外延层因晶格及热失配产生的应力，降低位错密度。
• 降低迁移势垒，加速外延生长：提供更低的成核与迁移势垒，利于高质量氮化物等外延层的快速制备。
• 晶圆级均匀性：可实现4英寸及以上晶圆级别的高度一致电学性能，迁移率可达10,000 cm²/(V·s)以上，狄拉克点电压波动极小。
• 无损剥离能力（针对外延层）：利用石墨烯弱界面特性，可轻松实现外延层的晶圆级机械剥离，便于转移或衬底回收。
• 散热改善：石墨烯的高热导率有助于外延器件散热，提升工作可靠性。