主要用于生长在熔点以下容易升华(即固态直接气化),且化学计量比复杂或熔点极高的材料。它生长出的通常是块体单晶。
典型材料及应用:
第三代半导体材料:
碳化硅(SiC): 这是PVT法最著名、最商业化的应用。目前市场上95%以上的4H-SiC和6H-SiC导电型衬底单晶都是用PVT法(也称为改进的Lely法)生长的。它是电动汽车、高铁、5G基站等高压、高频、高温功率器件的核心基础材料。
氮化铝(AlN): 用于制备深紫外LED、激光器和高频表面声波器件衬底的单晶AlN,主要依靠PVT法生长。
氮化镓(GaN): 虽然GaN单晶衬底主流是氨热法,但PVT法也是一种重要的技术路线。
宽禁带半导体及特种晶体:
氧化锌(ZnO): 用于蓝紫光光电器件、压电传感器。
硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS): 主要用于制作红外光学窗口和透镜(如军用热成像系统),PVT是生长这些大尺寸、高质量红外晶体的关键方法。
一些金属氧化物和硫族化合物单晶。

